类型设备型号设备名称产地国生产公司名称性能指标用途光刻VISTEC EBPG 5000PES电子束光刻系统美国荷兰VISTEC LITHOGRAPHY加速电压：50kV与100kV；束电流：100pA~100nA；扫描频率：25GHz；最小束斑直径：2.2nm；最小特征尺寸：8nm；写场拼接误差：20nm；套刻误差：20nm；可加工2～4寸晶片及碎片可进行十纳米级特征尺寸的光刻,可应用于光电子、半导体、微纳机械等领域的相关研究中的微纳加工，如集成光学、光电子器件、半导体器件...

•武汉光电国家研究中心微纳工艺与表征平台2021年9月搬入新光电信息大楼。随着工艺及测试设备的搬迁、配管和调试，平台即将投入使用。•平台使用总面积约2000多平方米，净化等级最高为5级（百级），最低为8级（十万级）；平台建有完善的动力、净化空调及气体保障系统。•目前，共有开放使用的大型工艺设备36台（套），拥有MOCVD 2台、电子束光刻（EBL）、紫外对准光刻、步进式光刻、纳米压印、无掩膜光刻、 ICP刻蚀机4台、反应...