EVG紫外曝光机是一款通用性和可靠性极强的光刻机，提供先进的掩膜对准技术。

名称纳米压印型号EITRE®   3制造商瑞典Obducat主要功能高精度纳米压印技术指标紫外压印、热固化压印，最大3英寸

500纳米精度步进光刻机 Nikon NSR-2005i9C 采用曝光光源i-line（365nm波长），把掩膜版上的图形按照5:1比例缩小复制到旋涂有光刻胶的晶圆上，实现投影缩放步进式重复曝光。

无掩模光刻机 苏大维格MicroLab Ⅲ采用405nmLED紫外光源和DMD数字微镜直写曝光，可以用于掩模板制作，亚微米及以上任意2D图案曝光和128级3D灰度曝光。

电子束曝光系统EBL Vistec EBPG 5000plus ES 是一款专用的直写电子束图案发生器，用于通过高分辨率电子束光刻技术对大面积区域进行图案化。

MA8 BA8紫外曝光机                管理员：黄光/张广学                工艺类别：光刻                所属单位：华中科技大学                状态：正常价格：校外：800元/60分钟，校内：600元/60分钟                单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                曝光分辨率0.7微米，套刻精度正面0.3微米，背面0.5微米。光刻机/双面对准/最低分辨率0.7微米/加工尺寸：碎片-8英寸                主要技术...