深硅刻蚀机Oxford PlasmaPro 100 Estrelas提供硅通孔(TSV)刻蚀工艺，深硅蚀刻（DSiE）可以满足微电子机械系统（MEMS）、先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。具有Bosch工艺和超低温液氮(Cryo)工艺。

铌酸锂-硅刻蚀机-NLD-570搭载了磁性中性线离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。可以产生与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体，用于高硬度材料刻蚀，可获得形貌及刻蚀侧面。

ICP-新Ⅲ-Ⅴ（Cobra 180）具有快速气体切换功能，可以进行ALE刻蚀，刻蚀温度最高可到400℃，适合三五族材料刻蚀。主要功能：三五族刻蚀，Si、Al 、氧化铝的ALE刻蚀。

新RIE（SENTECH SI 591）能实现高选择比刻蚀；主要功能：氧化硅刻蚀，光刻胶去除，二维材料刻蚀，石墨烯刻蚀。

RIE_国产（MERIE-3A）基于等离子体对材料进行干法刻蚀，主要对石墨烯，金属，二维材料等材料刻蚀

ICP-旧Ⅲ-Ⅴ族 PlasmaPro System 100 主要基于等离子体进行材料干法刻蚀，用于三五族，金属掩膜Cr，超表面材料的刻蚀主要功能：三五族材料，氧化钛，金属Cr和Al的刻蚀。

ICP_硅 仪器型号：PlasmaPro System 100 基于等离子体进行材料干法刻蚀。用于Si材料刻蚀。 如：220nmSOI、浅硅等，多种氧化硅刻蚀程序