干法刻蚀
InP刻蚀工艺
GaAs刻蚀工艺
深硅刻蚀工艺
铌酸锂刻蚀工艺
设备名称 |
允许刻蚀的材料 |
允许的掩膜 |
旧Ⅲ-Ⅴ族刻蚀机 |
InP、GaAs、ITO、Al、Cr、Al2O3、TiO2、SiO2 |
Cr、氧化硅、PR、Al |
新Ⅲ-Ⅴ族刻蚀机 |
InP、GaAs、AlN、AlGaN；原子层刻蚀 |
Cr、氧化硅、PR、Al |
硅刻蚀机（Si-ICP） |
Si、SiO2 |
Cr、氧化硅、PR、Al |
铌酸锂刻蚀机（NLD） |
LiNbO3、SOI |
Cr、氧化硅、PR、Al |
深硅刻蚀机（TSV-DRIE） |
深硅刻蚀、液氮超低温刻蚀、浅硅刻蚀 |
Cr、氧化硅、PR、Al |
新RIE SENTECH |
SiO2、InP、石墨烯、二维材料、去胶 |
Cr、氧化硅、PR、Al |
旧RIE |
金、Pt、Cr、石墨烯、二维材料、其他材料 |
Cr、氧化硅、PR、Al |
