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仪器设备
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薄膜沉积
反应离子束薄膜沉积设备Denton Discovery HDG
设备分类:
薄膜沉积
型号:
Discovery HDG
房间:
D117
简介:
反应离子束薄膜沉积设备Denton Discovery HDG是一种薄膜沉积工艺,也称为离子束溅射(Ion Beam Sputtering,简称IBS)。这种工艺使用离子源将靶材(金属或电介质)沉积或溅射到基片上,以形成金属或电介质膜。
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光学镀膜机OTFC-900 DBI
设备分类:
薄膜沉积
型号:
OTFC-900 DBI
房间:
D区1楼
简介:
光学镀膜机OTFC-900 DBI是用于生产红外截止滤光片、分色滤光片等成膜的真空镀膜装置。
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分子束外延生长系统(MBE)
设备分类:
薄膜沉积
型号:
EVO50 Si-Ge MBE
房间:
D区1楼
简介:
实现高质量锗硅光电子材料的生长,例如硅基Ge薄膜材料生长,Ge量子点的外延生长,硅基Si1-xGex量子阱的外延生长。
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低压化学气相沉积系统 LPCVD
设备分类:
薄膜沉积
型号:
MINI TYTAN4600
房间:
D115
简介:
用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低,气体分子的平均自由程和扩散系数大,并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。
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8英寸磁控溅射镀膜机
设备分类:
薄膜沉积
型号:
JCPY600
房间:
D区1楼
简介:
进行薄膜新材料的科研与小批量制备。平台提供以下材料的靶材:Al、Cr、Ni-Cr(80Ni:20Cr wt%)、Ti、Cu、SiO2、W。其他材料请自备靶材。样品托盘为4英寸和8英寸。
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原子层沉积ALD
设备分类:
薄膜沉积
型号:
ELEGANT II-200
房间:
D115
简介:
原子层沉积 ELEGANT II-200 系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备,采用双腔设计从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。
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磁控溅射镀膜机
设备分类:
薄膜沉积
型号:
JCPY500
房间:
D区1楼
简介:
进行薄膜新材料的科研与小批量制备。溅射方式:直流/射频;3靶位;可加热。样品托盘为6英寸,溅射面积最大为4英寸;靶材尺寸为直径75毫米。
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电子束蒸发镀膜系统EBE Ohmiker-50B
设备分类:
薄膜沉积
型号:
Ohmiker-50B
房间:
薄膜沉积
简介:
电子束蒸发镀膜系统 EBE Ohmiker-50B为产业化提供了稳定的薄膜蒸发支持,可兼容多尺寸样品,4英寸向下兼容,可蒸发多种金属材料:Ni/Ti/Au/Al/Cr/Ag/Cu。
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等离子增强化学气相沉积 PECVD
设备分类:
薄膜沉积
型号:
Oxford PlasmaPro 800 Stratum
房间:
D区1楼
简介:
为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积工艺提供了灵活的解决方案,它采用了紧凑的开放式装载系统,可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。
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