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中文名：分子束外延生长系统 |
英文名：Molecular Beam Epitaxy System |
仪器型号：EVO50 Si-Ge MBE |
设备分类：薄膜沉积 |
房间：D区1楼 |
负责人：徐 巍 |
生产厂家：
Omicron NanoTechnology GmbH
仪器介绍：
实现高质量锗硅光电子材料的生长，例如硅基Ge薄膜材料生长，Ge量子点的外延生长，硅基Si1-xGex量子阱的外延生长
主要功能：
1.硅基Ge薄膜材料生长，用于研究硅基红外探测器，硅基激光器、硅基发光器件等关键光电子器件和相关器件的单片集成研究。
2. Ge量子点的外延生长，用于硅基微腔量子点器件，硅基单光子源，硅基量子调控器件，硅基量子信息处理，硅基片上量子计算等领域的研究。
3.硅基Si1-xGex量子阱的外延生长，用于硅基高速调制器的研制。
技术指标：
1. 主腔室本底真空度小于1 X 10-10mbar
2. 主腔室的加热台兼容标准Omicron小样品、3’’衬底
3. 衬底加热温度可到1470 ℃
4. 主腔室提供6个NW63CF（4.5" 外径）法兰和2个NW200CF（10" 外径）法兰用于连接蒸发源, 此外还提供10个法兰接口用于后续的流量监测、RHEED和光学实验。
5. 快速进样室配备衬底存储盘，可存储6片衬底。
设备大图：
