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中文名：深硅刻蚀机 |
英文名：TSV-DRIE |
仪器型号：Oxford PlasmaPro 100 |
设备分类：刻蚀 |
房间：D117 |
负责人：李攀/杨凡 |
生产厂家：
牛津仪器
仪器介绍：
PlasmaPro 100提供硅通孔(TSV)刻蚀工艺，深硅蚀刻（DSiE）可以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。具有Bosch工艺和超低温液氮(Cryo)工艺。
主要功能：
用于8英寸深硅通孔刻蚀，并向下兼容其它尺寸的硅晶圆的深硅刻蚀应用。具有Bosch工艺和Cryo低温液氮刻蚀工艺。
技术指标：
反应室系统腔室本底真空：＜5E-6Torr
腔室漏气率：＜1.0 mTorr/min
控压范围：2~250 mTorr
控压精度：0.1 mTorr
刻蚀速率≧4um/min
侧壁粗糙度≦100nm
对光刻胶选择比≧30：1
片内均匀性≦±3%
侧壁垂直度90°±0.5°
温度控制范围-150℃~110℃。
注意事项：
小于8英寸的样品需要自备镀有氧化硅的8英寸硅片做载盘。
价格：
校内：768元/60分钟
校外：1097元/60分钟
单位预约时间：30(单位:分钟)
设备上线时间：2024-9-29
状态：正常
