平台刻蚀设备基础知识（V1.0）

作者：时间：2023-10-09 浏览：

（1）此文档根据日常咨询的问题整理，如有疑问，可咨询老师和当天刻蚀区助管。

（2）设备异常情况及时联系联系助管和老师，严禁私自操作，助管的联系方式在老三五刻蚀设备旁边。

1刻蚀设备选择

为了避免不同刻蚀材料的交叉污染，将设备刻蚀材料分类如下表

做好相关工艺参数记录，设备上会有一些调试好的刻蚀程序可供参考

（1）刻蚀时间

（2）气体种类，流量，

（3）ICP功率，RF功率，

（4）腔压

(5) 背冷He流量

（6）Bias自偏压

3.1刻蚀速率

影响因素有样品材料，刻蚀图形密度，大小。建议准备实验片进行刻蚀速率标定。

测试方法，去除掩膜后测量刻蚀的材料深度

3.2刻蚀选择比

掩膜和材料的刻蚀速率，

测试方法：

1刻蚀前台阶仪测量掩膜厚度

2刻蚀后测量掩膜和刻蚀的材料深度

3去除掩膜后测量刻蚀的材料深度

4刻蚀角度和粗糙度

5刻蚀的侧壁和底部的夹角

6测试方法，刻蚀后通过解理将刻蚀截面暴露出来，通过电镜可测量刻蚀侧壁角度和粗糙度

（1）预约系统预约设备，刻蚀设备登记刻蚀材料，样品数量；预约的时间包含刻蚀时间和洗腔时间。

（2）衬底盘清理，无尘布，酒精擦拭托盘正面及背面然后氮气枪吹干。擦拭正面减少刻蚀产物累积，背面是为了避免因为脏污导致Heflow异常影响散热，或者硅油影响下电极偏压。

平台采用的4寸，无切边，1000μm厚的硅片。刻蚀较多的课题组可以自备硅片以避免交叉污染，使用后自己保存。

（3）刻蚀时间需关注刻蚀程序关键参数，反射功率，偏压，Heflow是否正常。

公用程序关键参数禁止修改保存；反射功率过大，一般程序会自动终止；偏压变化较大可能是腔体较脏，影响刻蚀速率；Heflow过大或者过小都会导致散热下降；

（4）刻蚀完成后，将衬底盘擦拭干净后，放入腔内，并执行洗腔程序，按照刻蚀时间设定洗腔时间。在工艺本上登记刻蚀参数并清理台面。

（5）平台特殊气体（易燃气体：甲烷，硅烷，氢气；毒腐气体：氨气，氯气，一氧化二氮，三氯化硼）由于尾气处理设备启动需要加热和冷却时间较长，因此一般仅限于上班时间使用。请使用上述气体的学生合理安排工艺时间。

推荐书籍（图书馆可借阅）

1 微纳米加工技术及其应用