反应离子束薄膜沉积设备Denton Discovery HDG是一种薄膜沉积工艺，也称为离子束溅射（Ion Beam Sputtering，简称IBS）。这种工艺使用离子源将靶材（金属或电介质）沉积或溅射到基片上，以形成金属或电介质膜。

光学镀膜机OTFC-900 DBI是用于生产红外截止滤光片、分色滤光片等成膜的真空镀膜装置。

名称分子束外延生长系统型号EVO-50 Si-Ge MBE System制造商Omicron NanoTechnology GmbH主要功能1、硅基Ge薄膜材料生长，用于研究硅基红外探测器，硅基激光器、硅基发光器件等关键光电子器件和相关器件的单片集成研究。2、Ge量子点的外延生长，用于硅基微腔量子点器件，硅基单光子源，硅基量子调控器件，硅基量子信息处理，硅基片上量子计算等领域的研究。3、硅基Si1-xGex量子阱的外延生长，用于硅基高速调制器的研制。技术指标...

低压化学气相沉积系统LPCVD（MINI TYTAN4600）是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。

名称8英寸磁控溅射镀膜机型号JCPY600制造商北京泰科诺科技有限公司主要功能平台提供以下材料的靶材：Al、Cr、Ni-Cr(80Ni:20Cr wt%)、Ti、Cu、SiO2、W。其他材料请自备靶材。技术指标样品托盘为8英寸，4英寸。溅射面积最大为8英寸。靶材尺寸为直径100毫米。现有靶材Cr。气体:氩气，氧气，氮气。溅射方式:直流/射频。4靶位。衬底可加热500℃。  

原子层沉积 ELEGANT II-200 系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备，采用双腔设计从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。

                       磁控溅射镀膜机_新                管理员：黄光/张广学                工艺类别：镀膜                所属单位：华中科技大学                 状态：正常价格：校外：600元/60分钟，校内：400元/60分钟           单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                溅射方式：直流/射频；3靶位；可加热。                主要技术指标及注意事项                样品托盘为6...

电子束蒸发镀膜系统 EBE Ohmiker-50B为产业化提供了稳定的薄膜蒸发支持，可兼容多尺寸样品，4英寸向下兼容，可蒸发多种金属材料：Ni/Ti/Au/Al/Cr/Ag/Cu。

等离子增强化学气相沉积 PECVD Oxford PlasmaPro 800 Stratum 为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统,可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。