 |
中文名：原子层沉积 |
英文名：ALD |
仪器型号：ELEGANT II-200 |
设备分类：薄膜沉积 |
房间：D115 |
负责人：徐 巍/徐 巍 |
生产厂家：
南京原磊材料科技
仪器介绍：
Elegant II-Y系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备，拥有完全的自主知识产权，符合CE标准，主要针对高校、科研院所和小批量生产客户。该系列采用双腔设计，从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率；同时集成我司自主研发的传输系统，可实现一键操作，减少人工干预，降低污染的可能性。该系列还预留了数个升级端口，可同时实现等离子体增强和臭氧工艺，特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。
主要功能：
化合物薄膜原子层沉积，温度范围120-350℃
气体：O2,GN2,Ar,NH3。
金属源种类：TiCl4, C₃H₉Al,H2O
技术指标：
氧化铝沉积，6寸圆片不均匀性≤1%；
氧化钛沉积。6寸圆片不均匀性≤3%
120℃氧化铝生长速率1.17A/C，C=28.2秒；
300℃氧化铝生长速率1A/C，C=20.2秒；
120℃氧化钛生长速率0.55A/C，C=36.3秒；
注意事项：
挥发物样品禁止进入腔体
价格：
校内：600元/60分钟
校外：800元/60分钟
单位预约时间：60单位:分钟)
状态：正常
其它细节图/成品图:
设备大图:
