分子束外延生长系统（MBE）

型号

EVO-50 Si-Ge MBE System

制造商

Omicron NanoTechnology GmbH

主要功能

1、硅基Ge薄膜材料生长，用于研究硅基红外探测器，硅基激光器、硅基发光器件等关键光电子器件和相关器件的单片集成研究。2、Ge量子点的外延生长，用于硅基微腔量子点器件，硅基单光子源，硅基量子调控器件，硅基量子信息处理，硅基片上量子计算等领域的研究。3、硅基Si1-xGex量子阱的外延生长，用于硅基高速调制器的研制。

技术指标

1.主腔室本底真空度小于1 X 10-10mbar

2.主腔室的加热台兼容标准Omicron小样品、3’’衬底

3.衬底加热温度可到1470 ℃

4.主腔室提供6个NW63CF（4.5" 外径）法兰和2个NW200CF（10" 外径）法兰用于连接蒸发源, 此外还提供10个法兰接口用于后续的流量监测、RHEED和光学实验。

5.快速进样室配备衬底存储盘，可存储6片衬底