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中文名：铌酸锂-硅刻蚀机-NLD |
英文名：NLD |
仪器型号：NLD 570 |
设备分类：刻蚀设备 |
房间：D115 |
负责人：杨 凡/李 攀 |
生产厂家：
爱发科
仪器介绍：
NLD-570搭载了磁性中性线离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。NLD可以产生与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体，用于高硬度材料刻蚀，可获得形貌及刻蚀侧面。
主要功能：
铌酸锂刻蚀、浅硅刻蚀.
技术指标：
样品最大支持8英寸，兼容小片。
气体种类： O2、CHF3、Ar、C4F8、SF6、N2
LiNbO3 刻蚀 (200mm wafer, Si substrate, LNOI)
刻蚀速率>30nm/min侧壁角度>70°片内均匀性<±1%片间重复性<±1%
侧壁粗糙度增加<5nm对Cr或Ni选择比>3:1
Si刻蚀 (200mm wafer, SOI substrate or Si)
侧壁角度>90±1° 对PR选择比>5:1片内均匀性<±5%片间重复性<±3%
SiO2刻蚀、氮化硅刻蚀
价格：
校内：700元/60分钟
校外：1000元/60分钟
单位预约时间：30(单位:分钟)
设备上线时间：2023年
状态：正常
设备大图：
