所有设备-先进微纳加工中心

设备分类：薄膜沉积 型号：EVO50 Si-Ge MBE 房间：D区1楼 简介：实现高质量锗硅光电子材料的生长，例如硅基Ge薄膜材料生长，Ge量子点的外延生长，硅基Si1-xGex量子阱的外延生长。查看更多

设备分类：薄膜沉积 型号：MINI TYTAN4600 房间：D115 简介：用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。查看更多

傅立叶变换红外光谱仪 VERTEX 80v FTIR

设备分类：测试设备 型号：VERTEX 80v 房间：D116 简介：傅立叶变换红外光谱仪 VERTEX 80v 基于对干涉后的红外光进行傅里叶交换的技术，主要用于测试固体薄膜样品的透过率或吸光度随波数变化的红外吸收光谱图。查看更多

8英寸磁控溅射镀膜机

设备分类：薄膜沉积 型号：JCPY600 房间：D区1楼 简介：进行薄膜新材料的科研与小批量制备。平台提供以下材料的靶材：Al、Cr、Ni-Cr(80Ni:20Cr wt%)、Ti、Cu、SiO2、W。其他材料请自备靶材。样品托盘为4英寸和8英寸。查看更多

原子层沉积ALD

设备分类：薄膜沉积 型号：ELEGANT II-200 房间：D115 简介：原子层沉积 ELEGANT II-200 系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备，采用双腔设计从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。查看更多

铌酸锂-硅刻蚀机-NLD

设备分类：刻蚀设备 型号：NLD 570 房间：D115 简介：搭载了磁性中性线离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。可以产生与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体，用于高硬度材料刻蚀，可获得形貌及刻蚀侧面。查看更多

ICP-新Ⅲ-Ⅴ族

设备分类：刻蚀设备 型号：Cobra 180 房间：D115 简介：ICP-新Ⅲ-Ⅴ（Cobra 180）具有快速气体切换功能，可以进行ALE刻蚀，刻蚀温度最高可到400℃，适合三五族材料刻蚀。主要功能：三五族刻蚀，Si、Al 、氧化铝的ALE刻蚀。查看更多

新RIE（SENTECH SI 591）

设备分类：刻蚀设备 型号：SI 591 房间：D115 简介：能实现高选择比刻蚀。氧化硅刻蚀，光刻胶去除，二维材料刻蚀，石墨烯刻蚀。查看更多

紫外可见光近红外分光光度计 Lambda 1050+

设备分类：测试设备 型号：Lambda 1050+ 房间：D116 简介：可用于光学涂层、光纤滤光片、半导体、高吸收率玻璃、纳米光学材料等各领域的光谱特性分析。主要用于测试薄膜样品的吸光度、透射率、反射率，配置100mm积分球附件，实现样品漫反射测试。查看更多

等离子去胶机

设备分类：清洗设备 型号：DIENER PICOS 房间：D区1楼 简介：用于半导体加工工艺及其它薄膜加工工艺过程中，各类感光胶的干法去除查看更多

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