所有设备-先进微纳加工中心

设备分类：光刻设备 型号：苏大维格 MicroLab Ⅲ 房间：D113 简介：无掩模光刻机苏大维格MicroLab Ⅲ采用405nmLED紫外光源和DMD数字微镜直写曝光，可以用于掩模板制作，亚微米及以上任意2D图案曝光和128级3D灰度曝光。查看更多

电子束曝光系统EBL

设备分类：光刻设备 型号：Vistec EBPG 5000plus ES 房间：D113 简介：电子束曝光系统EBL Vistec EBPG 5000plus ES是一款专用的直写电子束图案发生器，用于通过高分辨率电子束光刻技术对大面积区域进行图案化。查看更多

RIE_国产

设备分类：刻蚀设备 型号：MERIE-3A 房间：D115 简介：RIE_国产（MERIE-3A）基于等离子体对材料进行干法刻蚀，主要对石墨烯，金属，二维材料等材料刻蚀查看更多

ICP-旧Ⅲ-Ⅴ族

设备分类：刻蚀设备 型号：PlasmaPro System 100 房间：D115 简介：主要基于等离子体进行材料干法刻蚀，用于三五族，金属掩膜Cr，超表面材料的刻蚀主要功能：三五族材料，氧化钛，金属Cr和Al的刻蚀。查看更多

磁控溅射镀膜机

设备分类：薄膜沉积 型号：JCPY500 房间：D区1楼 简介：进行薄膜新材料的科研与小批量制备。溅射方式：直流/射频；3靶位；可加热。样品托盘为6英寸，溅射面积最大为4英寸；靶材尺寸为直径75毫米。查看更多

电子束蒸发镀膜系统EBE Ohmiker-50B

设备分类：薄膜沉积 型号：Ohmiker-50B 房间：薄膜沉积 简介：电子束蒸发镀膜系统 EBE Ohmiker-50B为产业化提供了稳定的薄膜蒸发支持，可兼容多尺寸样品，4英寸向下兼容，可蒸发多种金属材料：Ni/Ti/Au/Al/Cr/Ag/Cu。查看更多

等离子增强化学气相沉积 PECVD

设备分类：薄膜沉积 型号：Oxford PlasmaPro 800 Stratum 房间：D区1楼 简介：为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统,可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。查看更多

硅基ICP（PlasmaPro System 100）

设备分类：刻蚀设备 型号：ICP_ silicon PlasmaPro System 100 房间：D115 简介：基于等离子体进行材料干法刻蚀。用于Si材料刻蚀。如：220nmSOI、浅硅等，多种氧化硅刻蚀程序查看更多

MA8 BA8掩膜对准紫外光刻机

设备分类：光刻设备 型号：MA8 BA8 房间：D区1楼 简介：MA8 BA8紫外曝光机可实现双面对准和接触式曝光功能。光刻机照射出紫外光，通过具有图形的掩膜版，对涂有光刻胶的晶圆曝光，利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形转移。查看更多

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